अनुसंधान और समीक्षा

इलेक्ट्रिकल, इलेक्ट्रॉनिक्स और इंस्ट्रुमेंटेशन इंजीनियरिंग में उन्नत अनुसंधान के अंतर्राष्ट्रीय जर्नल

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अमूर्त

Study of Influence of Channel Length Variation in Nano Range on Power and Delay of 3T DRAM Cell

Saradindu Panda, B.Maji, Dr.A.K.Mukhopadhyay

This paper describes the design issues of DRAM, simulation of 3T DRAM cell, and measurement of its power and delay, for various channel length. Varying the parameters such as channel length, we observe different results being reflected in its power and delay which is described in this paper. Waveforms are plotted as per our observations.

अस्वीकृति: इस सारांश का अनुवाद कृत्रिम बुद्धिमत्ता उपकरणों का उपयोग करके किया गया है और इसे अभी तक समीक्षा या सत्यापित नहीं किया गया है।

जर्नल हाइलाइट्स

अंकीय संकेत प्रक्रिया अतुल्यकालिक संकलन अधोचालकसंचालन अनुकूली संकेत संकेत अलग नेटवर्किंग आर्टिफ़िशियल क्लिनिक और इलेक्ट्रिकल में इलेक्ट्रिक ड्राइवर और उत्पाद इलेक्ट्रॉनिक सामग्री इलेक्ट्रॉनिक्स में आर्टिफिशियल ब्यूरो उपग्रह संचार एपीसैन निदान एवं संवेदन प्रणाली नियंत्रण सिद्धांत और सिद्धांत पावर इलेक्ट्रॉनिक कन्वर्टर्स का विश्लेषण बायो इलेक्ट्रॉनिक्स बिजली की गुणवत्ता और आपूर्ति की लागत के आर्थिक मूल्यांकन बेसिक इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग भार एवं विद्युत पावर प्लांट की विद्युत एवं औषधि उपयोगिताएँ विद्युतचुंबकीय क्षणिक कार्यक्रम (ईएमआई) विद्युतीकरण

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